%0 Journal Article
%T Etude th¨¦orique du transport ¨¦lectronique par la simulation Monte Carlo dans le quaternaire In0.863Ga0.137As0.3P0.7
%A C Sayah
%A B Bouazza
%A A Guenbouazza
%A N-E Chabane-Sari
%J Afrique Science: Revue Internationale des Sciences et Technologie
%D 2008
%I 
%X Afin de simuler le comportement d'un laser ¨¤ semi-conducteur, nous devons disposer de mod¨¨les math¨¦matiques d¨¦crivant de fa ons aussi pr¨¦cise que possible les propri¨¦t¨¦s physiques des mat¨¦riaux consid¨¦r¨¦s. Ces derni¨¨res ann¨¦es plusieurs recherches ont ¨¦t¨¦ consacr¨¦es aux lasers de type InGaAsP-InP. Plusieurs param¨¨tres physiques sont connus avec une pr¨¦cision plus ou moins satisfaisante. Nous avons tent¨¦, de reproduire au mieux l'ensemble des mesures rapport¨¦es dans la litt¨¦rature et d¡¯¨¦tudier le ph¨¦nom¨¨ne de transport dans les semiconducteurs quaternaire. Pour cela nous avons effectu¨¦ des simulations microscopiques, bas¨¦es sur la m¨¦thode Monte Carlo. Nous avons appliqu¨¦ cette m¨¦thode au cas du quaternaire "In0.863Ga0.137As0.3P0.7-InP", consid¨¦rant une bande de conduction ¨¤ trois vall¨¦es (¦£, L, X), isotropes et quasi paraboliques. Les interactions prises en compte sont dues aux phonons optiques polaires, optiques non polaires, acoustiques, intervall¨¦es, pi¨¦zo¨¦lectriques ainsi que les interactions d'alliage et sur impuret¨¦s ionis¨¦es. Dans un premier temps, nous pr¨¦sentons l¡¯ensemble des r¨¦sultats obtenus par la simulation de Monte Carlo dans l'In0.863Ga0.137As0.3P0.7 en r¨¦gime stationnaire. Nous consid¨¦rons ensuite les effets li¨¦s ¨¤ l¡¯application d¡¯un champ ¨¦lectrique variant tr¨¨s rapidement en fonction du temps. Nous ¨¦tudions en particulier les ph¨¦nom¨¨nes non stationnaires qui font leur apparition dans le mat¨¦riau quaternaire. Mots-cl¨¦s : simulation de Monte Carlo, In0.863Ga0.137As0.3P0.7, interaction, composants ¨¦lectroniques.
%U http://www.ajol.info/index.php/afsci/article/view/61673