%0 Journal Article
%T Analysis of incomplete charge transfer effects in a CMOS image sensor<br>CMOS图像传感器中电荷非完全转移的影响分析
%A Han Liqiang
%A Yao Suying
%A Xu Jiangtao
%A Xu Chao
%A Gao Zhiyuan
%A <br>韩立镪
%A 姚素英
%A 徐江涛
%A 徐超
%A 高志远
%J 半导体学报
%D 2013
%I 
%X 提出了一种判断CMOS图像传感器大尺寸像素中电荷是否完全转移的方法。在发射电流理论的基础上,建立了一个定性的光响应模型进行初步预测。通过对电荷非完全转移对噪声影响的进一步分析,预测了其噪声的变化。测试像素由特殊工艺的0.18μm工艺制造,并对比了两种不同的N埋层注入工艺。测试结果符合光响应模型分析与噪声分析所预测的趋势,尤其是可以区分出非常不明显的电荷非完全转移。这种方法可以帮助判断在特定工艺条件下特别是大尺寸像素的传输时间是否满足读出电路的需求。
%K CMOS image sensor
%K charge transfer
%K pinned photodiode
%K nonlinearity
%K shot noise<br>CMOS图像传感器
%K 电荷转移
%K 钳位光电二极管
%K 非线性
%K 散粒噪声
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=68B1C53E9B901905586972A5EB9D6C24&yid=FF7AA908D58E97FA&vid=339D79302DF62549&iid=94C357A881DFC066&sid=800B82568BE03EB9&eid=B31275AF3241DB2D&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=13