%0 Journal Article
%T A saw-less direct conversion long term evolution receiver with 25% duty-cycle LO in 130 nm CMOS technology<br>一种带有25%占空比本振采用130 nmCMOS工艺应用于LTE直接变频无声表滤波器接收机设计
%A 何思远
%A 张常红
%A 陶亮
%A 张伟锋
%A 曾隆月
%A 吕伟
%A 武海军
%J 半导体学报
%D 2013
%I 
%X 本文提出了一种去掉级间声表滤波器直接变频LTE接收机CMOS射频电路。电路包括低噪声可变增益跨导放大器（TCA），带有25%占空比本振的正交电流转换无源混频器，跨阻放大器（TIA），7阶切比雪夫滤波器和可编程增益放大器。宽动态增益范围分配在射频和模拟部分。25%占空比本振改善了电路增益、噪声和线性度。基于托马斯双二次结构的低通滤波器有效地抑制带外的干扰。该接收机电路采用0.13-μm CMOS工艺设计制造。测试结果表明电路在2.3GHz到2.7GHz工作频率范围，具有107dB最大电压增益，双边带噪声系数为2.7dB （从芯片端口），IIP3为-11dBm，校准后的IIP2大于65dBm，1dB增益步进的96dB动态增益控制范围，EVM小于2%。整个接收机电路采用片上LDO 1.2V供电，工作电流为89mA（I Q通道）。
%K RF CMOS
%K passive mixer
%K 25% duty-cycle
%K saw-less
%K noise figure
%K Chebyshev filter
%K LTE<br>RF
%K CMOS
%K 无源混频器
%K 25%占空比
%K 无声表滤波器
%K 噪声系数
%K 输入三阶互调点
%K 输入二阶互调点
%K 切比雪夫滤波器
%K 直接变频接收机
%K LTE
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=4D6BB6A422263A45B0D8A6A50EAA95D3&yid=FF7AA908D58E97FA&vid=339D79302DF62549&iid=38B194292C032A66&sid=A810BF4699C74DAA&eid=B31275AF3241DB2D&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=10