%0 Journal Article
%T S赤ntesis de bicapas nanoestructuradas de dlc/bn sobre sustratos de Si/si3n4 mediante deposici車n de l芍ser pulsado Synthesis of dlc/bn nanostructured bilayer on si/si3n4 substrate grown By pulsed laser deposition
%A Wilson S Rom芍n
%A Henry Riascos
%A Julio C Caicedo
%A Jose F G車mez
%J Revista Latinoamericana de Metalurgia y Materiales
%D 2012
%I Universidad Sim車n Bol赤var
%X Las pel赤culas delgadas de carbono tipo diamante (DLC) y nitruro de boro (BN) fueron depositadas sobre sustratos de nitruro de silicio en forma de bicapa, mediante la t谷cnica de deposici車n por l芍ser pulsado (PLD). La deposici車n se realiz車 con un l芍ser Nd: YAG con longitud de onda de 1064 nm, energ赤a de 500 mJ por pulso, 9 ns de duraci車n de pulso y tasa de repetici車n de 10 Hz. El crecimiento de la bicapa de DLC/BN se realiz車 en una atm車sfera de arg車n, utilizando grafito y nitruro de boro como blancos con pureza (99,99% y 99,98%) respectivamente, la fluencia del l芍ser se mantuvo constante en 2 J/cm2 y durante el crecimiento se vari車 la temperatura del sustrato de 25 ∼C a 300 ∼C. El espesor fue determinado mediante perfilometr赤a. Las pel赤culas fabricadas se caracterizaron por difracci車n de rayos X (XRD) y espectroscop赤a infrarroja con transformada de Fourier (FTIR); la composici車n qu赤mica se analiz車 mediante espectroscop赤a de rayos X por dispersi車n de energ赤a (EDS), el estudio morfol車gico superficial se llev車 a cabo mediante microscop赤a electr車nica de barrido (SEM), observ芍ndose de este modo una dependencia de la morfolog赤a como funci車n de la temperatura de dep車sito. The Diamond like carbon and boron nitride (DLC/BN) bilayer thin films were deposited onto silicon and nitride silicon substrates (100), by pulsed laser deposition system (PLD). The deposition was conducted with Nd:YAG laser with a wavelength of 1064 nm. The growth of bilayer was carried out under argon atmosphere, using graphite and boron nitride targets both of high purity (99.99% and 99. 98%) respectively. The laser fluence was kept constant at 2 J/cm2 during deposition processes; the substrate growth temperature was varied from 25∼C to 300∼C. The thickness was determined with a profilometer. The films produced were characterized by X-ray diffraction (XRD), spectroscopy Fourier transform infrared (FTIR), the chemical composition was analyzed via Energy Dispersive X-ray (EDS). The morphological study was analyzed via scanning electron microscopy (SEM), observing a morphological dependence as function of temperature deposition.
%K Ablaci車n l芍ser
%K nitruro de boro (BN)
%K DLC
%K nanoestructuras
%K Laser ablation
%K boron nitride (BN)
%K DLC
%K nanostructures
%U http://wwww.scielo.org.ve/scielo.php?script=sci_arttext&pid=S0255-69522012000100005