%0 Journal Article
%T 分子束外延锗基碲镉汞薄膜原位砷掺杂研究
%A 覃钢
%A 李东升
%A 李艳辉
%A 杨春章
%A 周旭昌
%A 张阳
%A 谭英
%A 左大凡
%A 齐航
%J 红外技术
%P 105-109
%D 2015
%R 10.11846/j.issn.1001_8891.201502004
%X 报道了基于Ge衬底分子束外延碲镉汞原位As掺杂材料的研究结果，进行了As掺杂碲镉汞薄膜生长的温度控制研究；分析了As束流对材料晶体质量的影响，结合SIMS测试技术得到了As杂质掺杂浓度与束源炉加热温度的关系；并利用傅里叶红外光谱仪、X射线双晶衍射、EPD检测等手段对晶体质量进行了分析表征，结果显示利用MBE方法可以生长出晶体质量良好、缺陷密度低的碲镉汞薄膜；进一步研究了As杂质的激活退火工艺及不同退火条件对材料电学参数的影响。
%K 分子束外延
%K 碲镉汞
%K 原位As掺杂
%K 退火
%U http://hwjs.nvir.cn/oa/DArticle.aspx?type=view&id=201411015