%0 Journal Article
%T 原位氧化硅钝化层对氧化钒薄膜光电特性的影响
%A 孔令德
%A 方辉
%A 魏虹
%A 刘礼
%A 周润生
%A 铁筱滢
%A 杨文运
%A 姬荣斌
%J 红外技术
%P 319-322
%D 2015
%R 10.11846/j.issn.1001_8891.201504011
%X 氧化硅（SiOx）原位钝化层对氧化钒（VOx）薄膜电学特性的影响分析旨在改善像元微桥结构的光学吸收特性，提高热敏VOx薄膜层的方阻和电阻温度系数（TCR）稳定性。采用离子束溅射沉积50nmVOx薄膜后，紧接着沉积30nmSiOx钝化层。通过原位残余气体分析仪（RGA）和衬底温度控制，调节氧化钒薄膜中的氧含量，分析了VOx单层膜、SiOx/VOx双层膜的电学特性随工艺温度的变化规律，原位残余气体分析仪（RGA）和150℃加温工艺提高了VOx热敏层薄膜的方阻和电阻温度系数稳定性。
%K 离子束溅射沉积
%K SiOx/VOx双层膜
%K 残余气体分析仪（RGA）
%K 电阻温度系数（TCR）
%U http://hwjs.nvir.cn/oa/DArticle.aspx?type=view&id=201412067