%0 Journal Article
%T 超浅结亚45nmMOSFET亚阈值区二维电势模型
%A 韩名君
%A 柯导明
%J 电子学报
%P 94-98
%D 2015
%R 10.3969/j.issn.0372-2112.2015.01.015
%X 文章提出将亚阈值区超浅结MOSFET的氧化层和Si衬底划分为三个区域,得到三个区域的定解问题,并用特征函数展开法求出了因边界衔接条件而产生的未知系数,首次得到超浅结亚45nmMOSFET的二维电势半解析模型,并给出了亚阈值电流模型.通过与Medici模拟结果对比发现该模型能够准确模拟亚阈值下的超浅结15～45nmMOSFET的二维电势和电流.
%K 超浅结亚45nmMOSFET
%K 二维电势半解析模型
%K 亚阈值电流
%U http://www.ejournal.org.cn/CN/abstract/abstract8769.shtml