%0 Journal Article
%T 一种基于0.18-μmCMOS工艺的新型超宽频带毫米波混频器设计与分析
%A 余振兴
%A 冯军
%J 电子学报
%P 405-411
%D 2015
%R 10.3969/j.issn.0372-2112.2015.02.031
%X 本文提出了一种超宽频带毫米波混频器电路.混频器采用分布式拓扑结构和中频功率合成技术,具有宽带宽和高转换增益.该混频器采用TSMC0.18-μmCMOS工艺设计并制造,芯片总面积为1.67mm2.测试结果表明:混频器工作频率从8GHz到40GHz,中频频率为2.5GHz时的转换增益为-0.2dB至4dB,其本振到中频端口和射频到中频端口间的隔离度均大于50dB.整个电路的直流功耗小于32mW.
%K 分布式混频器
%K 宽中频
%K 栅注入混频器(GPM)
%K 功率合成
%K 毫米波(MMW)
%U http://www.ejournal.org.cn/CN/abstract/abstract8820.shtml