%0 Journal Article
%T 基于铁电聚合物p(vdf-trfe)的多级存储研究
%A 陈雷
%A 吴阳江
%A 李晓慧
%A 傅超
%A 王芳
%A 胡志军
%A *
%J 南京大学学报(自然科学)
%P 684-691
%D 2015
%R 10.13232/j.cnki.jnju.2015.04.005
%X 铁电聚合物p(vdf-trfe)具有可兼容硅基元件和可溶液加工等优点，在未来可擦写式非易失存储领域极具应用前景。构建多级存储态是提高存储密度和降低生产成本的有力途径。我们以纳米压印为主要实现手段，通过构建高度有序的纳米图案化导电基底的方式，简单快捷地实现了p(vdf-trfe)薄膜高密度的多级存储功能。文中主要应用压电响应力显微镜(pfm)从微观上观测了图案化导电基底上p(vdf-trfe)在电压加载后的极化变化情况，直观地证实了其在外电场的作用下可形成了三种不同的极化状态。
%K 纳米压印
%K pfm
%K p(vdf-trfe)
%K 多级存储
%U http://jns.nju.edu.cn/oa/DArticle.aspx?type=view&id=201504002