%0 Journal Article
%T InP基HEMTs器件16参数小信号模型
%A 丁鹏
%A 孙树祥
%A 李凯凯
%A 李慧龙
%A 李梦珂
%A 王文斌
%A 金智
%A 钟英辉
%J 红外与毫米波学报
%D 2018
%X 针对InAlAs/InGaAs InP基 HEMTs提出了一种16参数小信号拓扑结构.拓扑结构中引入栅源电阻(Rgs)表征短栅沟间距引起的栅泄漏电流效应.另外还引入输出跨导(gds)和漏延迟(τds)描述漏端电压对沟道电流的影响以及漏源电容(Cds)引起的相位变化,从而提高了S22参数拟合精度.外围寄生参数通过open和short拓扑结构计算得出,本征部分利用去除外围寄生参数后的Y参数计算得出,最终模型参数值经过优化以达到最佳拟合状态而确定.结果表明,s参数和频率特性的仿真值与测试数据拟合程度很好,Rgs和τds的引入降低了模型误差.准确合适的InP基HEMTs小信号模型对于高频电路设计非常重要
%K InP基高电子迁移率晶体管 小信号模型 栅泄漏电流 漏端延时
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=170351&flag=1