Quantitative analysis on the influences of the precursor and annealing temperature on Nd2O3 film composition
前驱体和退火温度对Nd2O3薄膜组分影响的定量研究

采用Nd(thd)3和O3作为反应前驱体, 利用先进的原子层淀积方法在P型硅(100)衬底上制备了超薄Nd2O3介质膜, 并在N2气氛下进行了退火处理. 采用X射线光电子能谱仪对薄膜样品组分进行分析. 研究结果表明, 淀积过程中将前驱体温度从175 ℃提高到185 ℃后, 薄膜的质量得到提高, O/Nd 原子比达到1.82, 更接近理想的化学计量比, 介电常数也从6.85升高到10.32.