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ISSN: 2333-9721
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物理学报  2013 

Optimization of the longitudinal structure of intrinsic layer in microcrystalline silicon germanium solar cell
微晶硅锗太阳电池本征层纵向结构的优化

Keywords: microcrystalline silicon germanium,discharge power,band gap modulation,solar cell
微晶硅锗
,辉光功率,带隙调节,太阳电池

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Abstract:

采用射频等离子体增强化学气相沉积技术, 研究了辉光功率对微晶硅锗材料结构特性和光电特性的影响, 提出使用功率梯度的方法制备微晶硅锗薄膜太阳电池本征层. 优化后的微晶硅锗本征层不仅保持了晶化率纵向分布的均匀性, 而且形成了沿生长方向由宽到窄的渐变带隙分布, 使电池的填充因子和短路电流密度都得到了提高. 采用此方法制备的非晶硅/微晶硅锗双结叠层电池转换效率达到了9.54%.

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