Analyse unterschiedlicher Modellierungsvarianten des "Direct Power Injection" Verfahrens für die EMV Charakterisierung integrierter Schaltungen

Dieser Beitrag analysiert zwei Ans tze zur Modellierung eines Teststandes zur Charakterisierung von integrierten Schaltungen mittels Direct Power Injection (DPI) auf einem Wafer. Die erste Variante ist zur Analyse bereits vorliegender integrierter Schaltungen nutzbar. Sie ben tigt gemessene S-Parameterdaten, mit denen die an einem realen Messobjekt anliegenden St rspannungen frequenzabh ngig bestimmt werden k nnen. Die zweite Variante ist bereits anwendbar, bevor Silizium gefertigt worden ist. Sie modelliert einen Netzwerkanalysatorkanal der aus einer Signalquelle, einem Leistungsmesser und einem Verst rker mit nachgeschaltetem Richtkoppler und Entkoppelnetzwerken besteht. Zun chst werden die oben genannten verschiedenen Varianten der DPI-Streckenmodellierung dargestellt. Sie werden miteinander und anhand von Messdaten einer einfachen Teststruktur verglichen. Die Teststruktur besteht aus einem MOS-Transistor mit Arbeitswiderstand. Der Beitrag diskutiert Vor- und Nachteile der Varianten einschlie lich Modellierungsaufwand und Simulationsgeschwindigkeit.