一种高带宽NP型CMOSAPD的研究

提出了一种高带宽的硅基CMOS雪崩光电二极管(APD)器件。该器件在N阱/P衬底基本结构的基础上,增加一个N型深掩埋层,并在该掩埋层单独加上电压,以减小载流子的输运时间。通过理论分析确定了器件的结构参数,通过器件性能的仿真分析对相关参数进行了优化设计。仿真结果表明:采用标准0.18μmCMOS工艺,所设计的APD器件的窗口尺寸大小为20μm×20μm,在反向偏压为16.3V时,器件的雪崩增益为20,响应度为0.47A/W,3dB带宽为8.6GHz。