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ISSN: 2333-9721
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红外技术  2015 

原位氧化硅钝化层对氧化钒薄膜光电特性的影响

DOI: 10.11846/j.issn.1001_8891.201504011, PP. 319-322

Keywords: 离子束溅射沉积,SiOx/VOx双层膜,残余气体分析仪(RGA),电阻温度系数(TCR)

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Abstract:

氧化硅(SiOx)原位钝化层对氧化钒(VOx)薄膜电学特性的影响分析旨在改善像元微桥结构的光学吸收特性,提高热敏VOx薄膜层的方阻和电阻温度系数(TCR)稳定性。采用离子束溅射沉积50nmVOx薄膜后,紧接着沉积30nmSiOx钝化层。通过原位残余气体分析仪(RGA)和衬底温度控制,调节氧化钒薄膜中的氧含量,分析了VOx单层膜、SiOx/VOx双层膜的电学特性随工艺温度的变化规律,原位残余气体分析仪(RGA)和150℃加温工艺提高了VOx热敏层薄膜的方阻和电阻温度系数稳定性。

References

[1]  ?Rogalski A. Infrared detectors for the future[J]. ACTA PHYSICA POLONICA A, 2009, 116: 389-406. [2] ?Jun Dai. Low temperature fabrication of VOx thin films for uncooled IR detectors by direct current reactive magnetron sputtering method[J]. Infrared Physics & Technology, 2008, 51: 287-291. [3] ?Black S H. Advances in high rate uncooled detector fabrication at Raytheon[J]. Proc. of SPIE, 2010, 7660: 76600X-1-76600X-12. [4] ?Chien J H. Progress in DRS production line for uncooled focal plane arrays[J]. Proc. of SPIE, 2004, 5406: 483-490. [5] ?雷述宇, 方辉, 刘俊, 等. 国产640×512非制冷氧化钒红外焦平面探测器的研制[J]. 红外技术, 2013, 35(12): 759-763. [6] ?Cole B. High performance infrared detector arrays using thin film microstructures[J]. IEEE, 1995, 3416: 653-656. [7] ?Kevin Robert Coffey. anocomposite semiconducting material with reduced resistivity: US 8228159 B1[P]. 2012-07-24.? [8] ?Tanr?kulu M Y. An uncooled infrared microbolometer array using surface micromachined MEMS technology[D]. Ankara: Middle East Technical University, 2007. [9] ?唐晓红, 黄美东, 杜姗, 等. 氧分压对溅射氧化钒薄膜结构和透光性能的影响[J]. 激光与光电子学进展, 2014(6): 198-203.

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