sb2s3纳米粒子修饰zno纳米片微纳分级结构的光电化学性能

采用恒电位方法,选择氯化钾和乙二胺(eda)为添加剂,在氧化铟锡(ito)导电玻璃上制备了高度有序的zno纳米片阵列,通过二次电沉积得到了zno纳米片上生长纳米棒的微纳分级结构.利用化学浴沉积法在zno基底上沉积sb2s3纳米粒子制备出了sb2s3/zno纳米片壳核结构和sb2s3/zno微纳分级壳核结构.利用扫描电子显微镜(sem)、x射线衍射(xrd)、紫外-可见(uv-vis)吸收光谱、瞬态光电流等对其形貌、结构组成和光电化学性能进行了表征和分析.结果表明,sb2s3/zno纳米片上生长纳米棒分级壳核结构的光电流明显高于sb2s3/zno纳米片壳核结构.在sb2s3/zno纳米片壳核结构和sb2s3/zno微纳分级壳核结构的基础上旋涂一层p3ht薄膜形成p3ht/sb2s3/zno复合结构,以上述复合结构薄膜为光活性层组装成杂化太阳电池,其中,p3ht/sb2s3/zno分级壳核结构杂化太阳电池的能量转换效率最高,达到了0.81%.