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ISSN: 2333-9721
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-  2019 

31~38 GHz宽带高效率GaAs中功率放大器芯片

DOI: 10.11805/TKYDA201901.0169

Keywords: 功率放大器 毫米波 砷化镓 宽带 高效率 单片集成电路

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Abstract:

为实现毫米波放大器芯片的宽带、高增益和高效率,基于GaAs pHEMT工艺实现高增益,采用四级级联拓扑结构拓展带宽,利用电流复用结构降低直流功耗,采用T型电抗匹配技术实现最佳输出功率和效率匹配,成功实现了一款31~38 GHz频段的毫米波宽带高效率功率放大器芯片。测试结果表明,该功率放大器芯片在31~38 GHz宽带范围内,线性增益为26~29 dB,饱和输出功率为21.5 dBm,动态电流低于100 mA,饱和效率≥37%,在32~35 GHz内最高效率达45%

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