Extraction of interface state density and resistivity of suspended p-type silicon nanobridges
提取悬挂的p型硅纳米梁的界面态密度和电阻率

评估弯曲形变对硅纳米梁电学性质的影响对于其在传感和执行器方面的应用来说至关重要。为此，本文提出了一种结合理论和实验的方法来确定弯曲硅纳米梁的电阻率和界面态密度。基于绝缘体上硅，实验所用的p型硅纳米梁通过标准的CMOS光刻工艺和各项异性腐蚀、释放工艺加工而成。室温下，在不同偏置电压下测量了一系列不同长度和宽度的硅纳米梁的电阻之后，结合本文提出的理论模型，我们最终提取了不同弯曲形变条件下悬挂的硅纳米梁的界面态密度和电阻率。研究结果发现，没有弯曲形变的硅纳米梁的电阻率约为0.00945欧姆厘米，对应的界面态密度约为1.7445×1013cm-2。由于偏置电压而产生的弯曲形变轻微地改变了硅纳米梁的电阻率，尽管如此，却显著地改变了界面态电荷的分布情况，并且这种改变的幅度强烈取决于弯曲形变诱导的应力的大小。