分子束外延锗基碲镉汞薄膜原位砷掺杂研究

报道了基于Ge衬底分子束外延碲镉汞原位As掺杂材料的研究结果，进行了As掺杂碲镉汞薄膜生长的温度控制研究；分析了As束流对材料晶体质量的影响，结合SIMS测试技术得到了As杂质掺杂浓度与束源炉加热温度的关系；并利用傅里叶红外光谱仪、X射线双晶衍射、EPD检测等手段对晶体质量进行了分析表征，结果显示利用MBE方法可以生长出晶体质量良好、缺陷密度低的碲镉汞薄膜；进一步研究了As杂质的激活退火工艺及不同退火条件对材料电学参数的影响。