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ISSN: 2333-9721
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红外技术  2015 

原位氧化硅钝化层对氧化钒薄膜光电特性的影响

DOI: 10.11846/j.issn.1001_8891.201504011, PP. 319-322

Keywords: 离子束溅射沉积,SiOx/VOx双层膜,残余气体分析仪(RGA),电阻温度系数(TCR)

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Abstract:

氧化硅(SiOx)原位钝化层对氧化钒(VOx)薄膜电学特性的影响分析旨在改善像元微桥结构的光学吸收特性,提高热敏VOx薄膜层的方阻和电阻温度系数(TCR)稳定性。采用离子束溅射沉积50nmVOx薄膜后,紧接着沉积30nmSiOx钝化层。通过原位残余气体分析仪(RGA)和衬底温度控制,调节氧化钒薄膜中的氧含量,分析了VOx单层膜、SiOx/VOx双层膜的电学特性随工艺温度的变化规律,原位残余气体分析仪(RGA)和150℃加温工艺提高了VOx热敏层薄膜的方阻和电阻温度系数稳定性。

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